|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Development of epitaxial growth technology for Ge1− x Sn x alloy and study of its properties for Ge nanoelectronics |
| Auteur: |
Nakatsuka, Osamu Shimura, Yosuke Takeuchi, Wakana Taoka, Noriyuki Zaima, Shigeaki |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 83 (2013) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |