|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of USJ formation with combined RTA/laser annealing conditions for 28nm high-k/metal gate CMOS technology using advanced TCAD for process and device simulation |
| Auteur: |
Bazizi, E.M. Zaka, A. Benistant, F. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 83 (2013) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |