|
Strained germanium–tin (GeSn) p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (p-MOSFETs) with ammonium sulfide passivation |
|
|
|
Titel: |
Strained germanium–tin (GeSn) p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (p-MOSFETs) with ammonium sulfide passivation |
Auteur: |
Wang, Lanxiang Su, Shaojian Wang, Wei Gong, Xiao Yang, Yue Guo, Pengfei Zhang, Guangze Xue, Chunlai Cheng, Buwen Han, Genquan Yeo, Yee-Chia |
Verschenen in: |
Solid-state electronics |
Paginering: |
Jaargang 83 (2013) nr. C pagina's 5 p. |
Jaar: |
2013 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|