|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
k.p based closed form energy band gap and transport electron effective mass model for [100] and [110] relaxed and strained Silicon nanowire |
| Auteur: |
Ghosh, Ram Krishna Bhattacharya, Sitangshu Mahapatra, Santanu |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 80 (2013) nr. C pagina's 11 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |