|
Direct observation of 0.57eV trap-related RF output power reduction in AlGaN/GaN high electron mobility transistors |
|
|
|
Titel: |
Direct observation of 0.57eV trap-related RF output power reduction in AlGaN/GaN high electron mobility transistors |
Auteur: |
Arehart, A.R. Sasikumar, A. Rajan, S. Via, G.D. Poling, B. Winningham, B. Heller, E.R. Brown, D. Pei, Y. Recht, F. Mishra, U.K. Ringel, S.A. |
Verschenen in: |
Solid-state electronics |
Paginering: |
Jaargang 80 (2013) nr. C pagina's 4 p. |
Jaar: |
2013 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|