|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
The effect of nitrogen plasma anneals on interface trap density and channel mobility for 4H–SiC MOS devices |
| Auteur: |
Zhu, Xingguang Ahyi, Ayayi C. Li, Mingyu Chen, Zengjun Rozen, John Feldman, Leonard C. Williams, John R. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 57 (2011) nr. 1 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |