|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
DRAM concept based on the hole gas transient effect in a AlGaN/GaN HEMT |
| Auteur: |
Bawedin, M. Uren, M.J. Udrea, F. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 54 (2010) nr. 6 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |