|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
An analytical model of source injection for N-type enhancement mode GaN-based Schottky Source/Drain MOSFET’s with experimental demonstration |
| Auteur: |
Park, Jaehoon Ozbek, Ayse M. Ma, Lei Veety, Matthew T. Morgensen, Michael P. Barlage, Douglas W. Wheeler, Virginia D. Johnson, Mark A.L. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 54 (2010) nr. 12 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |