|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
High breakdown AlGaN/GaN MOSHEMT with thermal oxidized Ni/Ti as gate insulator |
| Auteur: |
Dong, Zhihua Wang, Jinyan Wen, C.P. Gong, Danian Li, Ying Yu, Min Hao, Yilong Xu, Fujun Shen, Bo Wang, Yangyuan |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 54 (2010) nr. 11 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 43 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |