|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 29 gevonden artikelen
| Titel: |
Bias-stress induced threshold voltage and drain current instability in 4H–SiC DMOSFETs |
| Auteur: |
Okayama, T. Arthur, S.D. Garrett, J.L. Rao, M.V. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 52 (2008) nr. 1 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 29 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |