|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Doping profile dependence of the vertical impact ionization MOSFET’s (I-MOS) performance |
| Auteur: |
Abelein, Ulrich Assmuth, Andreas Iskra, Peter Schindler, Markus Sulima, Torsten Eisele, Ignaz |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 51 (2007) nr. 10 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2007 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |