|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
Highly reliable high-k gate dielectrics with gradual Hf-profile in the HfO2/SiO2 interface region |
| Auteur: |
Iwamoto, Kunihiko Mizubayashi, Wataru Ogawa, Arito Nabatame, Toshihide Satake, Hideki Toriumi, Akira |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 50 (2006) nr. 6 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 43 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |