|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
Dramatic reduction of gate leakage current of ultrathin oxides through oxide structure modification |
| Auteur: |
Chen, Zhi Guo, Jun |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 50 (2006) nr. 6 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 43 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |