|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of a molecular beam epitaxy grown AlN passivation layer on AlGaN/GaN heterojunction field effect transistors |
| Auteur: |
Hwang, Jeonghyun Schaff, William J. Green, Bruce M. Cha, Hoyoung Eastman, Lester F. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 48 (2004) nr. 2 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2004 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |