|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
Hole mobility enhancement and Si cap optimization in nanoscale strained Si1−x Ge x PMOSFETs |
| Auteur: |
Shi, Zhonghai Onsongo, David Rai, Raghaw Samavedam, Srikanth B. Banerjee, Sanjay K. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 48 (2004) nr. 12 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2004 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |