|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
High performance 100 nm T-gate strained Si/Si0.6Ge0.4 n-MODFET |
| Auteur: |
Aniel, F Enciso-Aguilar, M Giguerre, L Crozat, P Adde, R Mack, T Seiler, U Hackbarth, Th Herzog, H.J König, U Raynor, B |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 47 (2003) nr. 2 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2003 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |