|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparison of AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown on AlN/SiC templates or sapphire |
| Auteur: |
Johnson, J.W Han, J Baca, A.G Briggs, R.D Shul, R.J Wendt, J.R Monier, C Ren, F Luo, B Chu, S.N.G Tsvetkov, D Dmitriev, V Pearton, S.J |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 46 (2002) nr. 4 pagina's 11 p. |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |