|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
A 0.10 μm buried p-channel MOSFET with through the gate boron implantation and arsenic tilted pocket |
| Auteur: |
Guegan, G. Deleonibus, S. Caillat, C. Tedesco, S. Dal’zotto, B. Heitzmann, M. Nier, M.E. Mur, P. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 46 (2002) nr. 3 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 21 gevonden artikelen
| volgende >> |