|
Hall mobility and carrier concentration in free-standing high quality GaN templates grown by hydride vapor phase epitaxy |
|
|
|
Titel: |
Hall mobility and carrier concentration in free-standing high quality GaN templates grown by hydride vapor phase epitaxy |
Auteur: |
Huang, D. Yun, F. Reshchikov, M.A. Wang, D. Morkoç, H. Rode, D.L. Farina, L.A. Kurdak, Ç. Tsen, K.T. Park, S.S. Lee, K.Y. |
Verschenen in: |
Solid-state electronics |
Paginering: |
Jaargang 45 (2001) nr. 5 pagina's 5 p. |
Jaar: |
2001 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|