|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 29 gevonden artikelen
| Titel: |
A novel method for determining the effect of interface trap generation on the degradation of n-MOSFETs under different hot-carrier stress modes |
| Auteur: |
Mu, Fuchen Xu, Mingzhen Tan, Changhua |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 45 (2001) nr. 3 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 29 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |