|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Studies of deep centers in high-resistivity p-GaN films doped with Zn and grown on SiC by hydride vapor phase epitaxy |
| Auteur: |
Polyakov, A.Y. Govorkov, A.V. Smirnov, N.B. Nikolaev, A.E. Nikitina, I.P. Dmitriev, V.A. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 45 (2001) nr. 2 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |