|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Modeling of direct tunneling and surface roughness effects on C–V characteristics of ultra-thin gate MOS capacitors |
| Auteur: |
Zhang, J.-L. Yuan, J.S. Ma, Y. Oates, A.S. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 45 (2001) nr. 2 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |