|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Direct assessment of relaxation and defect propagation in different as-grown and in situ post-growth annealed thin Ge/Si and step-graded Si1−x Ge x /Si buffer layers |
| Auteur: |
Yousif, M.Y.A Nur, O Willander, M Patel, C.J Hernandez, C Campidelli, Y Bensahel, D Kyutt, R.N |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 45 (2001) nr. 11 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |