|
Electrical effects of N2 plasma exposure on dry-etch damage in p- and n-GaN Schottky diodes |
|
|
|
Titel: |
Electrical effects of N2 plasma exposure on dry-etch damage in p- and n-GaN Schottky diodes |
Auteur: |
Kent, D.G Lee, K.P Zhang, A.P Luo, B Overberg, M.E Abernathy, C.R Ren, F Mackenzie, K.D Pearton, S.J Nakagawa, Y |
Verschenen in: |
Solid-state electronics |
Paginering: |
Jaargang 45 (2001) nr. 10 pagina's 6 p. |
Jaar: |
2001 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|