|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 31 gevonden artikelen
| Titel: |
Barrier capability of TaN x films deposited by different nitrogen flow rate against Cu diffusion in Cu/TaN x /n+–p junction diodes |
| Auteur: |
Yang, Wen Luh Wu, Wen-Fa Liu, Don-Gey Wu, Chi-Chang Ou, Keng Liang |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 45 (2001) nr. 1 pagina's 10 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 31 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |