|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
Deep level effects on the characteristics of Al0.24Ga0.76As/In0.20Ga0.80As/GaAs and In0.48Ga0.52P/In0.20Ga0.80As/GaAs high electron mobility transistors grown by solid source molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Yoon, S.F Yip, K.H Zheng, H.Q Gay, B.P |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 44 (2000) nr. 11 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2000 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |