|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of 0.5 μm channel Al/WSix/Poly-Si gate performance in high-frequency band Si power MOSFETs with process/device/circuit continuous simulation |
| Auteur: |
Kataoka, M Komuro, K Fujita, K Taniguchi, A |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 43 (1999) nr. 9 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |