|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of the Ge-molefraction on the subthreshold slope and leakage current of vertical Si/Si1−x Ge x MOSFETs |
| Auteur: |
Collaert, N. De Meyer, K. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 43 (1999) nr. 12 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |