|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
The separation of generation lifetimes of Si and SiGe using capacitance-transient measurements on MOS capacitors formed by plasma anodisation of Si:Si0.9Ge0.1:Si substrates |
| Auteur: |
Riley, L.S Hall, S Bonar, J.M |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 43 (1999) nr. 12 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |