|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of transition region and accumulation layer effect in the subthreshold slope in SOI nMOSFETs and their influences on the interface trap density extraction |
| Auteur: |
Sonnenberg, Victor Martino, João Antonio |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 43 (1999) nr. 12 pagina's 9 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |