|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Fabrication and characterisation of double heterojunction In0.48Ga0.52P/In0.20Ga0.80As high electron mobility transistors grown by solid-source molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Yoon, S.F. Gay, B.P. Zheng, H.Q. Kam, H.T. Degenhardt, J. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 43 (1999) nr. 11 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |