|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
2D simulation of the effects of transient enhanced boron out-diffusion from base of SiGe HBT due to an extrinsic base implant |
| Auteur: |
Hashim, Md.R Lever, R.F Ashburn, P |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 43 (1999) nr. 1 pagina's 10 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |