|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparison of GaAs-based heterostructure n-channel transistors to Si in complementary processes |
| Auteur: |
Fulkerson, David E. Baier, Steven |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 43 (1999) nr. 1 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |