|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Selectively dry-etched n+-GaAs/AlGaAs/n-InGaAs doped-channel FETs by using a CHF3+BCl3 plasma |
| Auteur: |
Lai, Li-Shyue Chan, Yi-Jen |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 42 (1998) nr. 10 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |