|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Design considerations of a MOS-bipolar Darlington structure: The vertical insulated base transistor (IBT) |
| Auteur: |
Godignon, P Fernández, J Flores, D Hidalgo, S Rebollo, J Millán, J Chante, J.P |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 39 (1996) nr. 12 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1996 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |