|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
An empirical fringing capacitance dependent threshold voltage model for non-uniformly doped submicron MOSFETs |
| Auteur: |
Maneesha, Khanna, M.K. Hadlar, S. Gupta, R.S. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 39 (1996) nr. 11 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1996 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |