|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 31 gevonden artikelen
| Titel: |
An analytical model for hot-carrier-induced degradation of deep-submicron n-channel LDD MOSFETs |
| Auteur: |
Goo, Jung-Suk Kim, Young-Gwan L'Yee, Hyeokjae Kwon, Ho-Yup Shin, Hyungsoon |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 38 (1995) nr. 6 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1995 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 31 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |