|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 41 gevonden artikelen
| Titel: |
2D device-level simulation study on d.c. and transient behavior of a SiGe-base HBT with a graded germanium profile in an ECL buffer operating at 77 K |
| Auteur: |
Kuo, J.B. Lu, T.C. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 38 (1995) nr. 2 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1995 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 41 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |