|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
A new gate current measurement technique for the characterization of hot-carrier induced degradation in MOSFETs |
| Auteur: |
Leang, S.E Chim, W.K Chan, D.S.H |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 38 (1995) nr. 10 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
1995 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |