|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 44 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterization of the gate oxide thickness and the channel length dependencies of hot-carrier degradation in LDD p-MOSFETs |
| Auteur: |
Pan, Y. Ng, K.K. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 38 (1995) nr. 1 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1995 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 44 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |