|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Determination of energy levels of recombination centers in low-doped Si layers by temperature dependence of recombination lifetime |
| Auteur: |
Spirito, P. Sanseverino, A. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 37 (1994) nr. 7 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
1994 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |
Toegankelijkheidsverklaring