|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Theoretical calculation and experimental evidence of the real and apparent bandgap narrowing due to heavy doping in p-type Si and strained Si1−x Ge x layers |
| Auteur: |
Poortmans, J. Jain, S.C. Totterdell, D.H.J. Caymax, M. Nijs, J.F. Mertens, R.P. Van Overstraeten, R. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 36 (1993) nr. 12 pagina's 9 p. |
| Jaar: |
1993 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |