|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Modeling the cutoff frequency of Al x Ga1−x As/GaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors with proton-implanted collector region |
| Auteur: |
Liou, J.J. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 33 (1990) nr. 10 pagina's 3 p. |
| Jaar: |
1990 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |