|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
Study of bandgap narrowing in the space-charge region of heavily doped silicon MOS capacitors |
| Auteur: |
Chen, H.C. Li, Sheng S. Teng, K.W. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 32 (1989) nr. 5 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1989 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |