|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
Numerical and experimental comparison of 60 V vertical double-diffused MOSFETs and MOSFETs with a trench-gate structure |
| Auteur: |
Chang, H.-R. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 32 (1989) nr. 3 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1989 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |