|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 146 van 149 gevonden artikelen
| Titel: |
Two-dimensional simulation of sub-μm GaAs MESFETs with ion-implanted doping |
| Auteur: |
Feng, Y.K. Schünemann, K. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 32 (1989) nr. 12 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1989 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 146 van 149 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |