|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
A model for the intrinsic gate capacitances of short channel MOSFETs |
| Auteur: |
Gharabagi, R. El Nokali, M. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 32 (1989) nr. 1 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
1989 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |