|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Generation-annealing of oxide and interface traps at 150 and 298 K in oxidized silicon stressed by Fowler-Nordheim electron tunneling |
| Auteur: |
Hsu, Charles Ching-Hsiang Sah, C.Tang |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 31 (1988) nr. 6 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1988 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |