|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 30 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
Reduction of Schottky barrier heights by surface oxidation of GaAs and its influence on DLTS signals for the midgap level EL2 |
| Auteur: |
Hasegawa, Fumio Onomura, Masaaki Mogi, Chikako Nannichi, Yasuo |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 31 (1988) nr. 2 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1988 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 30 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |