|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
Experimental investigation of the dependence of barrier height on metal work function for metalSiO2pSi (MIS) Schottky-barrier diodes in the presence of inversion |
| Auteur: |
Chattopadhyay, P. Kumar, V. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 31 (1988) nr. 2 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1988 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |